Главная
О компании
Софт
Консалтинг
Публикации
Как нас найти



Моделирование газофазной эпитаксии Si, SiGe, and SiC


Рис.1. Картина течения и распределение температуры при росте SiGe в реакторе “Centura”
Софт-Импакт осуществляет анализ и оптимизацию процессов роста полупроводниковых эпитаксиальных слоев и гетероструктур для микро- и оптоэлектронных приборов на основе оригинальных моделей, описывающих физические и химические процессы с использованием специально разработанных программных пакетов. Проводимые расчеты покрывают широкий спектр явлений – от гидродинамики до кинетики атомов на ростовой поверхности.