Моделирование газофазной эпитаксии Si, SiGe, and SiC

Рис.1. Картина течения и распределение температуры при росте SiGe в реакторе “Centura”

Софт-Импакт осуществляет анализ и оптимизацию процессов роста полупроводниковых эпитаксиальных слоев и гетероструктур для микро- и оптоэлектронных приборов на основе оригинальных моделей, описывающих физические и химические процессы с использованием специально разработанных программных пакетов. Проводимые расчеты покрывают широкий спектр явлений – от гидродинамики до кинетики атомов на ростовой поверхности.

Наши публикации

2019

Alexander Segal, Eugene Yakovlev, Denis Bazarevskiy, Roman Talalaev, Hocine Ziad, Jelle Genne, Gerhard Koops, Johan Meersman, Freddy De Pestel and Marnix Tack, Optimization of deposition uniformity during silicon epitaxy in deep trenches, Semicond. Sci. Technol. 34 (2019) 024001 (7pp)

2015

A.S. Segal, S.Yu. Karpov, A.V. Lobanova, E.V. Yakovlev, K. Hara and M. Naito, Study of Al Incorporation in Chemical Vapor Deposition of p-Doped SiC, Mat. Science Forum, 821-823 (2015) pp 145-148 /doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.145

2009

Yuri N. Makarov, R.A. Talalaev, A.N. Vorob'ev, Mark S. Ramm, Maxim V. Bogdanov, Computational Analysis of SiC HTCVD from Silicon Tetrachloride and Propane. Mat. Science Forum, 600-603 (2009) 51-53.