Моделирование процессов химического осаждения из газовой фазы

Проводимый нашей компанией консалтинг в области химического осаждения из газовой фазы соединений типа AIIIBV включает моделирование Металлорганической Газофазной Эпитаксии (МОГФЭ), Молекулярно-Пучковой Эпитаксии полупроводников типа AIIIBV и нитридов III группы, а также моделирование Хлоридной-Гидридной Газофазной Эпитаксии (ХГФЭ) нитридов III группы. Консалтинг проводится с помощью моделей химических и физических явлений лежащих в основе ГФЭ, а также специально разработанных вспомогательных программ. Численное моделирование включает в себя весь спектр явлений, характерных для процесса осаждения – от динамики течения в реакторе до кинетики адсорбированных атомов на ростовой поверхности.

Наши публикации

2015

В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов, МОС-гидридная эпитаксия III-N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 52009

2014

M. Dauelsberg, D. Brien, H. Rauf, F. Reiher, J. Baumgartl, O. Haberlen, A. Segal, A. Lobanova, E. Yakovlev, R. Talalaev, On mechanisms governing AlN and AlGaN growth rate and composition in large substrate size planetary MOVPE reactors, J. Crystal Growth, Vol. 393 (2014) pp.103–107

2013

A. V. Lobanova, A. L. Kolesnikova, A. E. Romanov, S. Yu. Karpov, M. E. Rudinsky et al, Mechanism of stress relaxation in (0001) InGaN/GaN via formation of V-shaped dislocation half-loops, Appl. Phys. Lett. 103, 152106 (2013); doi: 10.1063/1.4824835 View online: http://dx.doi.org/10.1063/1.4824835

2008

A. V. Kondratyev, R. A. Talalaev, A. S. Segal, E. V. Yakovlev, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, A. F. Tsatsulnikov, and A.E. Nikolaev, Effect of metallic surface coverage on material quality in III-nitride MOVPE, Physica Status Solidi (c) 5, No 6, 1691–1694 (2008) / DOI 10.1002/pssc.200778589 (2008)