2-6 сентября 2018г. Софт-Импакт примет участие в Европейской Конференции по карбиду кремния и родственным материалам в Бирмингеме ECSCRM 2018

 

9-12 июля 2018г. Софт-Импакт примет участие в Азиатско-Тихоокеанской конференции по карбиду кремния и родственным материалам в Пекине APCSCRM 2018

 

23 – 25 марта 2015г. СИ принял участие в 10-ой Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы” в Санкт-Петербурге

Были представлены доклады:

1. Контроль напряжений и плотности дислокаций в технологии GaN-on-Si. М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Е.В. Яковлев, М.С. Рамм, Р.А. Талалаев
2. Управление профилем состава и напряжений в приборных гетероструктурах на основе InGaN. А.С. Сегаль, Е.В. Яковлев, С.Ю. Карпов, М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Р.А. Талалаев.

 

Софт-Импакт принял участие в 24 международной конференции "ISLC", которая состоялась на острове Майорка с 7 по 10 сентября 2014г.

Был представлен доклад:
Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov

 

Софт-Импакт принял участие в международном симпозиуме по нитридным полупроводникам "IWN 2014", который состоялся в городе Вроцлав, Польша, с 24 по 29 августа 2014г.

Был представлен доклад:
Optimal Ways of Color Mixing for High-Quality White-Light LED Sources. Kirill A. Bulashevich, Alexey V. Kulik, and Sergey Yu. Karpov

 

30 июня – 7 июля 2014г. Софт-Импакт принял участие в XVI международной конференции «LASER OPTICS 2014» в Санкт-Петербурге

Был представлен совместный доклад:
Novel Evaluation Procedure for Internal and Extraction Efficiency of High-Power Blue LEDs

 

25-30 августа 2013г. Софт-Импакт принял участие в международной конференции по нитридным полупроводникам в Вашингтоне, США.

Были представлены доклады:

1. Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov
2. New Mechanism of Stress Relaxation in (0001)InGaN-based Heterostructures. A.V. Lobanova, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov, S.Yu. Karpov, M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev

 

13-15 июня 2013г. СИ принял участие в 9-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» в Москве

Был представлен доклад:
Поляризационное легирование для приборов оптоэлектроники. С.Ю.Карпов, К.А. Булашевич