17-22 октября 2022, Москва – участие в РНКТ-8 (2022) - Российская Национальная конференция по теплообмену (РНКТ) (rnkt.ru)

Cтендовый доклад:
Д.В. Борисов, В.В. Калаев, Моделирование турбулентного теплопереноса в расплаве кремния применительно к технологии выращивания кристаллов методом Чохральского, Москва

 

2-8 октября 2022, участие в Российском форуме «Микроэлектроника 2022», Роза Хутор, МКК «Роза Холл»: https://microelectronica.pro

 

4-9 апреля 2022г. ООО «Софт-Импакт» принял участие в работе Всероссийской конференции «Неделя науки Физмех» (Неделя науки Физмех)

Были представлены 3 постерных доклада подготовленные студентами и выпускниками Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого по результатам их стажировки:

• • Моделирование турбулентного теплообмена при свободно-конвективном движении жидкостей с малым числом Прандтля, Д.В. Борисов, В.В. Калаев, Е.М. Смирнов (СПб Политехнический университет)


• • Чувствительность ростовых процессов в горизонтальном CVD реакторе к неоднородностям подачи реагентов, В.А. Игнатенко, Д.С. Базаревский, А.А. Смирновский (СПб Политехнический университет)


• • LES и RANS моделирование течения в цилиндрической полости при определяющей роли крупномасштабных тороидальных вихрей, Ю.В. Шерстобоев, Д.В. Борисов, В.В. Калаев, Е.М. Смирнов (СПб Политехнический университет).

 

5-8 июля 2021г на он-лайн сессии 2-го Международного симпозиума по моделированию роста кристаллов и приборов (MCGPD-2021), проходившего в г. Chennai, Индия, был представлен устный доклад:

Модифицированный подход в моделировании тензора напряжений Рейнольдса для смешанной турбулентной конвекции при росте кристаллов (A modified hypothesis of Reynolds stress tensor modeling for mixed turbulent convection in crystal growth), Андрей Смирнов, Дмитрий Борисов, Владимир Калаев

 

28 июля-2 августа 2019г на 19-й Международной конференции по росту кристаллов и эпитаксии (ICCGE-19)

Были представлены 6 докладов с участием сотрудников ООО «Софт-Импакт»:

• • Моделирование динамики дислокаций при росте кристаллов арсенида галлия методом VGF (MODELING OF DISLOCATION DYNAMICS IN VGF GAAS CRYSTAL GROWTH), В.Артемьев, А. Смирнов, В. Калаев, A. Golubev и L. Beno, компания СМК, Словакия


• • Компьютерное моделирование при росте кремния методом Чохральского с применением горизонтального магнитного поля (COMPUTER MODELING OF HMCZ SI GROWTH), В. Калаев.


• • Компьютерное моделирование роста объемных кристаллов нитрида галлия из раствора Na-Ga (COMPUTER MODELING OF BULK GAN CRYSTAL GROWTH FROM NA-GA SOLUTION), A. Воробьев, A. Кондратьев, А. Смирнов, В. Калаев.


• • Численное моделирование напряжений при росте кристаллов β-GA2O3 методом Чохральского (NUMERICAL STRESS MODELING OF β-GA2O3 CRYSTAL GROWTH BY CZOCHRALSKI METHOD), M. Iizuka, Y. Mukaiyama (STR Japan K.K., Japan), В. В. Артемьев, В. Мамедов, A. Смирнов, В. Калаев


• • Влияние численных параметров на характеристики нестационарного течения расплава и переноса примесей в упрощенной геометрии процесса роста кристаллов кремния методом Чохральского с применением поперечных магнитных полей (EFFECT OF NUMERICAL PARAMETERS ON UNSTEADY MELT FLOW FEATURES AND IMPURITY TRANSPORT WITHIN A SIMPLIFIED CZ SI CRYSTAL GROWTH PROCESS GEOMETRY WITH EFFECT OF TRANSVERSE MAGNETIC FIELDS), С. Демина, A. Смирнов, В. Калаев, G. Ratnieks, L. Kadinski, A. Sattler (Siltronic AG, Германия).


• • Новое в моделировании тепло- и массопереноса в процессе роста кремния методом Чохральского (ADVANCES IN TURBULENCE MODELING OF HEAT AND MASS TRANSPORT DURING CZ SILICON CRYSTAL GROWTH), В. Артемьев, В. Калаев, A. Смирнов, P. Dold и R. Kunert (Fraunhofer CSP, Германия), R. Turan, O. Aydin и I. Kabacelik (iTechSolar, Турция). Доклад подготовлен по материалам совместного международного проекта при финансовой поддержке Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (www.fasie.ru).

 

2-6 сентября 2018г. Софт-Импакт принял участие в Европейской Конференции по карбиду кремния и родственным материалам в Бирмингеме ECSCRM 2018

 

9-12 июля 2018г. Софт-Импакт принял участие в Азиатско-Тихоокеанской конференции по карбиду кремния и родственным материалам в Пекине APCSCRM 2018

 

23 – 25 марта 2015г. СИ принял участие в 10-ой Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы” в Санкт-Петербурге

Были представлены доклады:

1. Контроль напряжений и плотности дислокаций в технологии GaN-on-Si. М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Е.В. Яковлев, М.С. Рамм, Р.А. Талалаев
2. Управление профилем состава и напряжений в приборных гетероструктурах на основе InGaN. А.С. Сегаль, Е.В. Яковлев, С.Ю. Карпов, М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Р.А. Талалаев.

 

Софт-Импакт принял участие в 24 международной конференции "ISLC", которая состоялась на острове Майорка с 7 по 10 сентября 2014г.

Был представлен доклад:
Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov

 

Софт-Импакт принял участие в международном симпозиуме по нитридным полупроводникам "IWN 2014", который состоялся в городе Вроцлав, Польша, с 24 по 29 августа 2014г.

Был представлен доклад:
Optimal Ways of Color Mixing for High-Quality White-Light LED Sources. Kirill A. Bulashevich, Alexey V. Kulik, and Sergey Yu. Karpov

 

30 июня – 7 июля 2014г. Софт-Импакт принял участие в XVI международной конференции «LASER OPTICS 2014» в Санкт-Петербурге

Был представлен совместный доклад:
Novel Evaluation Procedure for Internal and Extraction Efficiency of High-Power Blue LEDs

 

25-30 августа 2013г. Софт-Импакт принял участие в международной конференции по нитридным полупроводникам в Вашингтоне, США.

Были представлены доклады:

1. Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov
2. New Mechanism of Stress Relaxation in (0001)InGaN-based Heterostructures. A.V. Lobanova, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov, S.Yu. Karpov, M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev

 

13-15 июня 2013г. СИ принял участие в 9-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» в Москве

Был представлен доклад:
Поляризационное легирование для приборов оптоэлектроники. С.Ю.Карпов, К.А. Булашевич