Главная
 О компании
 Софт
 Консалтинг
 Публикации
 Как нас найти


Новости

 
 
10-я Всероссийская конференция “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”
23 – 25 марта 2015г. СИ принял участие в 10-ой Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы” в Санкт-Петербурге

Были представлены доклады:

  1. Контроль напряжений и плотности дислокаций в технологии GaN-on-Si. М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Е.В. Яковлев, М.С. Рамм, Р.А. Талалаев
  2. Управление профилем состава и напряжений в приборных гетероструктурах на основе InGaN. А.С. Сегаль, Е.В. Яковлев, С.Ю. Карпов, М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Р.А. Талалаев.


 


IEEE
The 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference
Софт-Импакт принял участие в 24 международной конференции "ISLC", которая состоялась на острове Майорка с 7 по 10 сентября 2014г.

Был представлен доклад:
Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov


 


IWN2014
The international workshop on nitride semiconductors (IWN 2014)
Софт-Импакт принял участие в международном симпозиуме по нитридным полупроводникам "IWN 2014", который состоялся в городе Вроцлав, Польша, с 24 по 29 августа 2014г.

Был представлен доклад:
Optimal Ways of Color Mixing for High-Quality White-Light LED Sources. Kirill A. Bulashevich, Alexey V. Kulik, and Sergey Yu. Karpov


 
 
 
XVI международная конференция «LASER OPTICS 2014»
30 июня – 7 июля 2014г. Софт-Импакт принял участие в XVI международной конференции «LASER OPTICS 2014» в Санкт-Петербурге

Был представлен совместный доклад:
Novel Evaluation Procedure for Internal and Extraction Efficiency of High-Power Blue LEDs


 


IEEE
10th International Conference on Nitride Semiconductors
25-30 августа 2013г. Софт-Импакт принял участие в международной конференции по нитридным полупроводникам в Вашингтоне, США.

Были представлены доклады:

  1. Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov
  2. New Mechanism of Stress Relaxation in (0001)InGaN-based Heterostructures. A.V. Lobanova, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov, S.Yu. Karpov, M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev


 
 
 
9-я Всероссийская Конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»
13-15 июня 2013г. СИ принял участие в 9-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» в Москве

Был представлен доклад:
Поляризационное легирование для приборов оптоэлектроники. С.Ю.Карпов, К.А. Булашевич


 
CGSim — программный пакет для анализа и оптимизации роста полупроводниковых кристаллов по методам Чохральского и Бриджмена

CGSim — это пакет программ, предназначенный для моделирования роста кристаллов по методу Чохральского (Cz, LEC, VCz) и Бриджмена. С помощью пакета пользователь получает необходимую ему информацию о наиболее важных с точки зрения процесса роста и качества кристалла физических процессах. CGSim организован по модульному принципу и включает в себя базовую версию, дополняемую модулем расчета дефектов в кристалле, модулем расчета течения и визуализатором... подробности

CGSim
Пример расчетной сетки, построенной пакетом CGSim


© 2016 Soft-Impact, Ltd. All Rights Reserved.