Моделирование роста кристаллов из расплава

В ООО Софт-Импакт накоплен богатый опыт по оптимизации оборудования и технологических параметров при выращивании объемных кристаллов из расплава по методам Чохральского, Бриджмена-Стокбаргера, Киропулоса и зонной плавки.

Рис. 1. Пример расчета теплообмена в установке для выращивания кристаллов кремния диаметром 400 мм.

Спектр решаемых задач включает в себя:

• расчеты теплообмена в ростовых узлах с оптимизацией общей геометрии, тепловых экранов и параметров нагревателей;
• анализ термоупругих напряжений и возникновени дислокаций в кристалле с расчетом формирования фронта кристаллизации;
• редсказание характеристик дефектов (поры, преципитаты кислорода) в кристаллах кремния;
• расчеты транспорта и вхождения в кристалл примесей, содержащихся в газе и расплаве;
• анализ гидродинамики газа и расплава с применением моделей турбулентности и прямого численного моделировани трехмерных нестационарных течений;

Рис. 2. Пример моделирования эффекта магнитного поля при росте кристаллов кремния диаметром 400 мм

Используемые модели прошли верификацию для кристаллов кремния Si, арсенида галлия GaAs, фосфида индия InP, сапфира, германия и других полупроводниковых и оптических материалов.