Главная
О компании
Софт
Консалтинг
События
Публикации
Как нас найти


Новости


IEEE
Микроэлектроника 2023
9-14 октября 2023, участие в Российском форуме «Микроэлектроника 2023», Федеральная территория «Сириус»: https://microelectronica.pro

 

IEEE
Российская Национальная конференция по теплообмену
(РНКТ-8) (2022)
17-22 октября 2022, Москва – участие в РНКТ-8 (2022) - Российская Национальная конференция по теплообмену (РНКТ) (rnkt.ru)

Cтендовый доклад:
Д.В. Борисов, В.В. Калаев, Моделирование турбулентного теплопереноса в расплаве кремния применительно к технологии выращивания кристаллов методом Чохральского, Москва


 

IEEE
Микроэлектроника 2022
2-8 октября 2022, участие в Российском форуме «Микроэлектроника 2022», Роза Хутор, МКК «Роза Холл»: https://microelectronica.pro

 


Всероссийская конференция «Неделя науки Физмех»
4-9 апреля 2022г. ООО «Софт-Импакт» принял участие в работе Всероссийской конференции «Неделя науки Физмех» (Неделя науки Физмех)

Были представлены 3 постерных доклада подготовленные студентами и выпускниками Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого по результатам их стажировки:

  • • Моделирование турбулентного теплообмена при свободно-конвективном движении жидкостей с малым числом Прандтля, Д.В. Борисов, В.В. Калаев, Е.М. Смирнов (СПб Политехнический университет)

  • • Чувствительность ростовых процессов в горизонтальном CVD реакторе к неоднородностям подачи реагентов, В.А. Игнатенко, Д.С. Базаревский, А.А. Смирновский (СПб Политехнический университет)

  • • LES и RANS моделирование течения в цилиндрической полости при определяющей роли крупномасштабных тороидальных вихрей, Ю.В. Шерстобоев, Д.В. Борисов, В.В. Калаев, Е.М. Смирнов (СПб Политехнический университет).


 


MCGPD-2021
5-8 июля 2021г на он-лайн сессии 2-го Международного симпозиума по моделированию роста кристаллов и приборов (MCGPD-2021), проходившего в г. Chennai, Индия, был представлен устный доклад:

Модифицированный подход в моделировании тензора напряжений Рейнольдса для смешанной турбулентной конвекции при росте кристаллов (A modified hypothesis of Reynolds stress tensor modeling for mixed turbulent convection in crystal growth), Андрей Смирнов, Дмитрий Борисов, Владимир Калаев


 


ICCGE-19
28 июля-2 августа 2019г на 19-й Международной конференции по росту кристаллов и эпитаксии (ICCGE-19)

Были представлены 6 докладов с участием сотрудников ООО «Софт-Импакт»:

  • • Моделирование динамики дислокаций при росте кристаллов арсенида галлия методом VGF (MODELING OF DISLOCATION DYNAMICS IN VGF GAAS CRYSTAL GROWTH), В.Артемьев, А. Смирнов, В. Калаев, A. Golubev и L. Beno, компания СМК, Словакия

  • • Компьютерное моделирование при росте кремния методом Чохральского с применением горизонтального магнитного поля (COMPUTER MODELING OF HMCZ SI GROWTH), В. Калаев.

  • • Компьютерное моделирование роста объемных кристаллов нитрида галлия из раствора Na-Ga (COMPUTER MODELING OF BULK GAN CRYSTAL GROWTH FROM NA-GA SOLUTION), A. Воробьев, A. Кондратьев, А. Смирнов, В. Калаев.

  • • Численное моделирование напряжений при росте кристаллов β-GA2O3 методом Чохральского (NUMERICAL STRESS MODELING OF β-GA2O3 CRYSTAL GROWTH BY CZOCHRALSKI METHOD), M. Iizuka, Y. Mukaiyama (STR Japan K.K., Japan), В. В. Артемьев, В. Мамедов, A. Смирнов, В. Калаев

  • • Влияние численных параметров на характеристики нестационарного течения расплава и переноса примесей в упрощенной геометрии процесса роста кристаллов кремния методом Чохральского с применением поперечных магнитных полей (EFFECT OF NUMERICAL PARAMETERS ON UNSTEADY MELT FLOW FEATURES AND IMPURITY TRANSPORT WITHIN A SIMPLIFIED CZ SI CRYSTAL GROWTH PROCESS GEOMETRY WITH EFFECT OF TRANSVERSE MAGNETIC FIELDS), С. Демина, A. Смирнов, В. Калаев, G. Ratnieks, L. Kadinski, A. Sattler (Siltronic AG, Германия).

  • • Новое в моделировании тепло- и массопереноса в процессе роста кремния методом Чохральского (ADVANCES IN TURBULENCE MODELING OF HEAT AND MASS TRANSPORT DURING CZ SILICON CRYSTAL GROWTH), В. Артемьев, В. Калаев, A. Смирнов, P. Dold и R. Kunert (Fraunhofer CSP, Германия), R. Turan, O. Aydin и I. Kabacelik (iTechSolar, Турция). Доклад подготовлен по материалам совместного международного проекта при финансовой поддержке Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (www.fasie.ru).


 
 
 
Бирмингем ECSCRM 2018
2-6 сентября 2018г. Софт-Импакт принял участие в Европейской Конференции по карбиду кремния и родственным материалам в Бирмингеме ECSCRM 2018

 
 
 
Пекин APCSCRM 2018
APCSCRM 2018
9-12 июля 2018г. Софт-Импакт принял участие в Азиатско-Тихоокеанской конференции по карбиду кремния и родственным материалам в Пекине APCSCRM 2018

 
 
 
10-я Всероссийская конференция “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”
23 – 25 марта 2015г. СИ принял участие в 10-ой Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы” в Санкт-Петербурге

Были представлены доклады:

  1. Контроль напряжений и плотности дислокаций в технологии GaN-on-Si. М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Е.В. Яковлев, М.С. Рамм, Р.А. Талалаев
  2. Управление профилем состава и напряжений в приборных гетероструктурах на основе InGaN. А.С. Сегаль, Е.В. Яковлев, С.Ю. Карпов, М.Э. Рудинский, А.В. Лобанова, Р.А. Талалаев.


 


IEEE
The 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference
Софт-Импакт принял участие в 24 международной конференции "ISLC", которая состоялась на острове Майорка с 7 по 10 сентября 2014г.

Был представлен доклад:
Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov


 


IWN2014
The international workshop on nitride semiconductors (IWN 2014)
Софт-Импакт принял участие в международном симпозиуме по нитридным полупроводникам "IWN 2014", который состоялся в городе Вроцлав, Польша, с 24 по 29 августа 2014г.

Был представлен доклад:
Optimal Ways of Color Mixing for High-Quality White-Light LED Sources. Kirill A. Bulashevich, Alexey V. Kulik, and Sergey Yu. Karpov


 
 
 
XVI международная конференция «LASER OPTICS 2014»
30 июня – 7 июля 2014г. Софт-Импакт принял участие в XVI международной конференции «LASER OPTICS 2014» в Санкт-Петербурге

Был представлен совместный доклад:
Novel Evaluation Procedure for Internal and Extraction Efficiency of High-Power Blue LEDs


 


IEEE
10th International Conference on Nitride Semiconductors
25-30 августа 2013г. Софт-Импакт принял участие в международной конференции по нитридным полупроводникам в Вашингтоне, США.

Были представлены доклады:

  1. Assessment of factors controlling conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells. K. A. Bulashevich and S. Yu. Karpov
  2. New Mechanism of Stress Relaxation in (0001)InGaN-based Heterostructures. A.V. Lobanova, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov, S.Yu. Karpov, M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev


 
 
 
9-я Всероссийская Конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»
13-15 июня 2013г. СИ принял участие в 9-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» в Москве

Был представлен доклад:
Поляризационное легирование для приборов оптоэлектроники. С.Ю.Карпов, К.А. Булашевич


 
CGSim — программный пакет для анализа и оптимизации роста полупроводниковых кристаллов по методам Чохральского и Бриджмена

CGSim — это пакет программ, предназначенный для моделирования роста кристаллов по методу Чохральского (Cz, LEC, VCz) и Бриджмена. С помощью пакета пользователь получает необходимую ему информацию о наиболее важных с точки зрения процесса роста и качества кристалла физических процессах. CGSim организован по модульному принципу и включает в себя базовую версию, дополняемую модулем расчета дефектов в кристалле, модулем расчета течения и визуализатором... подробности

CGSim
Пример расчетной сетки, построенной пакетом CGSim